擴散爐用作半導體器件和集成電路生產(chǎn)中進行半導體微粒擴散和氧化工藝的設(shè)備，是由耐高溫石英材料制成的管狀電阻加熱爐，在其主加熱段，電熱絲均勻環(huán)繞其上，可以完成硼擴散、磷擴散、氧化、退火等半導體材料的實驗與生產(chǎn)工藝。真空爐

作為本例控制對象的擴散爐，其技術(shù)指標列舉如下:硅片規(guī)格:4”,6”,8”。

溫度控制范圍:350—1250℃，瞬時可達1280℃。

恒溫區(qū)長度及精度:≤±1℃/300—800mm，300-1250℃;≤±0.5℃/300—800mm，800—1250℃。爐溫單點穩(wěn)定性:≤±1℃/24h，300—1250℃;≤±0.5℃/24h，800—1250℃.

溫度重復性:≤±1℃。真空爐

升溫速率:0一15℃/min (1000℃以下)。降溫透率，0一4℃/mimo

氣路:硼擴散、磷擴散各2路質(zhì)量流量計，氧化/退火管為3路質(zhì)量流量汁。凈化工作臺凈化級別:100級(1000級廠房)。

它的工作溫度一般為數(shù)百度***千度，要求爐溫在一定的控制范圍內(nèi)保溫到規(guī)定的時間，而且擴散工藝曲線是多臺階的。

目前國內(nèi)熱擴散爐的控制很多仍然采用半導體器件控制，其缺點是:操作人員芳動強度大:不能自動定時:不能自動從一個溫控區(qū)進入另一個溫控區(qū):無法實現(xiàn)群控: Tm參數(shù)不能自動調(diào)節(jié):溫控范圍受限。因此半導體行業(yè)需要對熱擴散妒爐的爐溫和保溫時間實現(xiàn)較 的計算機控制、對通入擴散源的時間給予指示，而當熱耦斷開和擴散爐絲燒新時能給予指示和報警，并能將控制結(jié)果子以記錄。

計算機用于溫度控制，在國內(nèi)已得到廣泛的府用，實例也很多。例如采用STp總線對熱擴散爐進行控制的系統(tǒng)，以及利用微型計算機作為控制核心的爐溫控制系統(tǒng)。

ST總線作為控制核心，顯然在價格上占有明顯優(yōu)勢，由出于它不能以漢字顯示，而月輸入操作較為復雜浙以不能滿足用戶對直觀簡易操作的要求。由于Pe在性能提升的向時價格卻在不斷下降，因此在本例的控制系統(tǒng)中，使用的是計算機控制。